晶圆制作工艺步骤（氧化，扩散，离子注入，沉积，刻蚀）
氧化：在硅晶圆表面形成二氧化硅
扩散：一种杂质原子由材料表面向材料内部扩散的过程。两种扩散机制，一种表面杂质无穷多，一种表面杂质浓度有限。
离子注入：特殊掺杂物（杂质）离子由电场加速到很高的速度并注入半导体材料中。可以用离子注入代替扩散，优点有（1）精准控制掺杂(2)室温工艺(3)可以通过薄层注入，使被注入的材料不被暴露于污染物中，扩散必须把表面二氧化硅层除去。（4）可以控制杂质分布。
沉积：把多种不同材料的薄膜层沉积到硅晶圆上（蒸发沉积，溅射沉积，化学气相沉积）
刻蚀：去除被暴露材料的工艺，两个主要特性：选择性（去掉希望的）各向异性（完美的刻蚀应该仅在一个方向上刻蚀）
光刻：从光掩模或计算机的数据库中将版图转移到晶圆上。光刻的基本单元是光刻胶材料和光掩模。光掩模被用来使光刻胶的一些区域暴露在紫外光下，而另一些则被掩膜保护起来。光刻胶是一种暴露在紫外光下就会改变特性的有机聚合物，分为正性和负性。正性光刻胶被用来制作有图形存在(紫外光无法穿透）区域的掩膜版，负性光刻胶用来制作无图形存在（紫外光可以透过）区域的掩膜版。
PN结
a）假定杂质浓度由n型半导体的施主杂质浓度Nd突变到p型半导体的受主杂质浓度Na，称为突变结。
b）n型半导体一侧结附件的电子扩散越过结，在n型半导体侧结附件留下固定的带正电的施主原子
c）带正电荷的施主原子占据长度为xn，带负电荷的受主原子占据长度为xp。
耗尽区定义为xd=xn-xp，xp＜0
由于电中性，pn结两边的电荷一定相等，qNdxn= -qNaxp
q=1.6×C，在耗尽区电场分布可以用高斯定律计算
CMOS大信号模型
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