issg及其氮化工艺对nbti效应的改善 issg process and its improve...

巾国集成电路 南U造 China Circult Integrated -SSG及其氮化工艺 对NBT-效应的改善 孑L艳梅，杨莉童商 (中芯国际集成电路制造有限公司，上海03) 明显的改善作用。由于原子氧的强氧化作用，IssG工艺中最终得到的氧化物薄膜体内缺陷少，界面态密 度也比较小，氧化物薄膜的质量比较高。IssG氮化工艺与传统炉管氧化物薄膜的氮化工艺的主要区别 在于N所集中的位置不一样。IssG工艺氮化是把等离子态的Ⅳ 注入到多晶硅栅和sjQ：的界面，不会 者jv2D把N注入到sjQ：和sj衬底的界面，这样sjQ2和sI的界面态就会增加，从而增强NBTI效应。 关键词：原位水气生成；负偏压温度稳定性；氮化；氧化薄膜；晶圆 ISSGProcessandIts ImproVement on Bias TemperatureInstability NegatiVe Esme Kong，KellyYang Intemational 201 (Semiconductor 203，China) Manufactu—ng Corporation，Shanghai discussthe of and t}Ie

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